半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 木戸口 勲; 足立 秀人; 上山 智; 大仲 清司 |
| 发表日期 | 2001-11-02 |
| 专利号 | JP3246148B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 可視光領域に発振波長を有する半導体レーザに関するもので、相対雑音強度の低い半導体レーザを容易に歩留まりよく提供する。 【構成】 半導体レーザのp-(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5Pクラッド層5の一部が台形状のストライプである。電流狭窄層がn-Al0.5Ga0.5As層とn-GaAs電流狭窄層の2層から成っている。 |
| 公开日期 | 2002-01-15 |
| 申请日期 | 1993-12-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77837]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 木戸口 勲,足立 秀人,上山 智,等. 半導体レーザおよびその製造方法. JP3246148B2. 2001-11-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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