半導体レーザー
文献类型：专利
| 作者 | 成井 啓修; 松田 修 |
| 发表日期 | 2001-05-25 |
| 专利号 | JP3191359B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザー |
| 英文摘要 | 【目的】 非点隔差が小さく、しかも動作電流が小さい半導体レーザーを実現する。 【構成】 内部ストライプ構造を有する半導体レーザーにおいて、電流狭窄層6のストライプ状の開口6aを逆メサ形状とすることにより、発光部の近傍の部分のp型クラッド層5、7、9中に光導波層8を埋設し、純粋な屈折率導波型レーザーとする。 |
| 公开日期 | 2001-07-23 |
| 申请日期 | 1991-10-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77853]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 成井 啓修,松田 修. 半導体レーザー. JP3191359B2. 2001-05-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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