半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 岡田 知; 藤本 毅; 大久保 敦 |
| 发表日期 | 1996-11-29 |
| 专利号 | JP1996316566A |
| 著作权人 | MITSUI PETROCHEM IND LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 単一縦モード、低いビーム放射角、良好な導波モードを実現する半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 n-GaAsから成る基板1の上に順次、n-AlGaAsから成るクラッド層2、n-GaAsから成る光導波層3、n-AlGaAsから成るキャリアブロック層4、InGaAs/GaAsから成る量子井戸活性層5、p-AlGaAsから成るキャリアブロック層6、p-GaAsから成る光導波層7、p-AlGaAsから成るクラッド層8、p-GaAsから成るコンタクト層9がそれぞれ形成されている。光導波層7の上面には、周期が約0.28μm、深さが約0.1μmの回折格子12が形成される。 |
| 公开日期 | 1996-11-29 |
| 申请日期 | 1995-05-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77855]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUI PETROCHEM IND LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡田 知,藤本 毅,大久保 敦. 半導体レーザ素子. JP1996316566A. 1996-11-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。