半導体装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 早藤 紀生 |
| 发表日期 | 1998-05-15 |
| 专利号 | JP2781097B2 |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 異種導電性接合界面を有するIII -V族化合物半導体装置において、急峻かつ精密に制御されたドーピングプロファイルを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 【構成】 III -V族化合物半導体層を形成する際に、III ,V族元素とともにカーボンを添加してp型導電性を制御してP型領域を形成し、引き続いてIII ,V族元素とともにカーボンと同時に微量のn型不純物(Se)を添加することによりn型導電性を制御してN型領域を形成し、これらの層を組み合わせることにより異種導電性接合界面を有する半導体装置を構成する。 |
| 公开日期 | 1998-07-30 |
| 申请日期 | 1992-01-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77872]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 早藤 紀生. 半導体装置およびその製造方法. JP2781097B2. 1998-05-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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