窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 奥 保成; 亀井 英徳 |
| 发表日期 | 2000-06-23 |
| 专利号 | JP2000174338A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板を用い、この基板の側を主発光面側とする発光素子において、発光素子直上での配光特性を改善するとともに、発光強度を高く保持することができる新規な構造を提供することを目的とする。 【解決手段】 n型の窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板1の上に、窒化ガリウム系化合物半導体からなるn型クラッド層2と活性層3とp型クラッド層との積層構造が設けられ、前記基板1に接続される電極を有する半導体発光素子において、前記電極を、前記積層構造の表面側からその一部を除去させて露出された前記基板1の表面に直接接して設けることによって、主発光面側に配置される電極を不要とし発光素子直上の配光分布を均一なものとすることができる。 |
| 公开日期 | 2000-06-23 |
| 申请日期 | 1998-12-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77897]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥 保成,亀井 英徳. 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子. JP2000174338A. 2000-06-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。