半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 川戸 伸一 |
| 发表日期 | 2008-02-07 |
| 专利号 | JP2008028093A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】リッジストライプ近傍における空洞の発生を防ぐと共に、リッジストライプ側方の形成する層の層厚ばらつきや不連続性をなくして、歩留まりを向上させることができて安定して動作する半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】p型GaAsキャップ層107に対してはエッチング可能であるが、p型AlGaAs第2上クラッド層106に対してはエッチング不可能である第1のエッチャントに対して、p型AlGaAs中間層120は被エッチング速度が略0であり、かつ、p型GaAsキャップ層107に対してはエッチングが不可能であるが、p型AlGaAs第2上クラッド層106に対してはEcというエッチング速度を持つ第2のエッチャントに対して、p型AlGaAs中間層120は被エッチング速度がEiである。p型AlGaAs中間層120はEc,EiがEi |
| 公开日期 | 2008-02-07 |
| 申请日期 | 2006-07-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77899]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 川戸 伸一. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP2008028093A. 2008-02-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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