半導体レーザ素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 渡部 義昭; 武井 清; 陳 農; 竹間 清文 |
| 发表日期 | 1998-07-31 |
| 专利号 | JP1998200203A |
| 著作权人 | PIONEER ELECTRON CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 ペルチェ効果素子と半導体レーザ素子を一体化することにより、発熱部を直接冷却することができ、小型化が可能で冷却効率の良い半導体レーザ素子及びその製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 半導体レーザ素子内にペルチェ効果素子を組み込んだことを特徴とし、特にp型半導体材料からなる基板及びp型層と、活性層と、n型半導体材料からなるn型層と電極とからなり、ペルチェ効果素子がn型層に形成されたことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1998-07-31 |
| 申请日期 | 1996-12-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77936]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | PIONEER ELECTRON CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渡部 義昭,武井 清,陳 農,等. 半導体レーザ素子及びその製造方法. JP1998200203A. 1998-07-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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