半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 穴山 親志 |
| 发表日期 | 2007-01-19 |
| 专利号 | JP3903229B2 |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザ装置及びその製造方法に関し、n型電流狭窄層直下のp側クラッド層の層厚を薄くすることなく、無効電流を低減する。 【解決手段】 p側クラッド層を少なくとも禁制帯幅の大きな第1のp型クラッド層4と禁制帯幅の小さな第2のp型クラッド層5とにより構成し、第1のp型クラッド層4の正孔濃度が高くなっている第1の領域9の面方位が、正孔濃度の低くなっている第2の領域10の面方位と異なるようにする。 |
| 公开日期 | 2007-04-11 |
| 申请日期 | 1997-08-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77960]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 穴山 親志. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP3903229B2. 2007-01-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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