半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 細羽 弘之; ▲吉▼田 智彦; 兼岩 進治; 松本 晃広 |
| 发表日期 | 1999-01-14 |
| 专利号 | JP2875440B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 漏れ電流が低減できる効率の良い電流狭窄構造を有する半導体レーザ素子を、MBE法を用いて1回の結晶成長工程で形成する。
【構成】 中央部に幅3μmの(111)A面120、その両外側に(411)A面121を有するV溝が設けられたp型GaAs(100)基板101上に、SiドープGaAs電流狭窄層102が形成されている。この電流狭窄層102は、V溝の中央部120上ではp型の導電性を示し、両外側部121上ではn型の導電性を示す。電流狭窄層102の上には、p型AlXGa1-XAsクラッド層(0YGa1-YAs活性層(0≦YWGa1-WAsクラッド層(0 |
| 公开日期 | 1999-03-31 |
| 申请日期 | 1992-10-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77962]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 細羽 弘之,▲吉▼田 智彦,兼岩 進治,等. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP2875440B2. 1999-01-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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