Semiconductor laser device and method for fabricating the same
文献类型：专利
| 作者 | MOCHIDA, ATSUNORI |
| 发表日期 | 2008-04-08 |
| 专利号 | US7356060 |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Semiconductor laser device and method for fabricating the same |
| 英文摘要 | A semiconductor laser device includes a MQW active layer, a p-type cladding layer formed on the MQW active layer, having a ridge portion and having a smaller refractive index than that of the MQW active layer, a plurality of dielectric films formed at least on part of the p-type cladding layer extending from each side of the ridge portion. |
| 公开日期 | 2008-04-08 |
| 申请日期 | 2005-03-15 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77967]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | MOCHIDA, ATSUNORI. Semiconductor laser device and method for fabricating the same. US7356060. 2008-04-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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