半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 高岡 圭児; 櫛部 光弘; 本橋 健次; 古山 英人 |
| 发表日期 | 1994-04-08 |
| 专利号 | JP1994097592A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 活性層の側面付近を流れるリーク電流を低減することができ、十分な低しきい値電流動作と高光出力動作可能な半導体レーザを提供すること。 【構成】 n型InP基板1上に、n型InPバッファ層2,GaInAsP活性層3及びp型InPキャップ層4を順次積層した半導体多層膜をストライプ状に加工してなるメサストライプ部と、このメサストライプ部の側面を埋め込んで形成されたp型InP電流ブロック層5と、この電流ブロック層5の上に形成されたn型InP電流ブロック層6とを備えた埋込み型半導体レーザにおいて、メサストライプ部のうち活性層3となる半導体層の幅を、活性層3に隣接する半導体層2,4の幅よりも広く形成したことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1994-04-08 |
| 申请日期 | 1992-09-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77980]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高岡 圭児,櫛部 光弘,本橋 健次,等. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1994097592A. 1994-04-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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