半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 近藤 真人; 穴山 親志; 小路 元 |
| 发表日期 | 1995-10-13 |
| 专利号 | JP1995263796A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザに関し、ラテラルpnパターニングの技術を適用して段差基板に半導体レーザを作製することが可能な結晶の面方位組み合わせの自由度を広げることで、その種の半導体レーザの製造を容易化しようとする。 【構成】 (100)面或いは(100)面から(111)B方向に約0°から約10°の範囲で傾斜した面からなる主面及び方向に延在した(311)B面或いは(311)B面に近接した面からなる斜面をもつ基板200及びダブル·ヘテロ構造の構成要素であるp型クラッド層202の一部に導入されたZn及びSe(或いはS)が前記主面上でn型領域203bを生成すると共に斜面上でp型領域203aを生成して構成された電流狭窄層203を備える。 |
| 公开日期 | 1995-10-13 |
| 申请日期 | 1994-03-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77990]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤 真人,穴山 親志,小路 元. 半導体レーザ. JP1995263796A. 1995-10-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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