半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 石橋 晃; 戸田 淳; 中山 典一 |
| 发表日期 | 1994-09-09 |
| 专利号 | JP1994252446A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 自己発光型のカラー表示が可能な半導体装置を、1回の結晶成長により同一基板上に形成できる製造方法を提供する。 【構成】 周期的な遮蔽構造2が形成されて成る基板1の上に、少なくとも第1導電型のクラッド層3を成長する工程と、遮蔽構造2に挟まれた領域毎に、活性層4を組成変調させて成長する工程と、第2導電型のクラッド層5を成長する工程とを有する。 |
| 公开日期 | 1994-09-09 |
| 申请日期 | 1993-02-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78006]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石橋 晃,戸田 淳,中山 典一. 半導体装置の製造方法. JP1994252446A. 1994-09-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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