半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 後藤 順; 中塚 慎一; 河田 雅彦; 大家 彰; 百瀬 正之 |
| 发表日期 | 1997-11-18 |
| 专利号 | JP1997298342A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【課題】II-VI族半導体を用いたレーザダイオードに対して、電流狭窄構造、および、光導波構造を容易に、かつ、再現性良く形成する作製法を与える。 【解決手段】マグネシウムを含むクラッド層を酸化する。 【効果】II-VI族半導体を用いたレーザダイオードの低閾電流化、および、横モードの制御が可能となり、信頼性の高い短波長レーザが得られた。 |
| 公开日期 | 1997-11-18 |
| 申请日期 | 1996-05-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78013]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 後藤 順,中塚 慎一,河田 雅彦,等. 半導体発光装置. JP1997298342A. 1997-11-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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