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半導体発光素子の製造方法

文献类型:专利

作者嶋崎 武; 木戸口 勲; 足立 秀人; 田中 清武; 熊渕 康仁
发表日期1997-10-07
专利号JP1997266348A
著作权人MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体発光素子の製造方法
英文摘要【課題】 半導体レーザへの端面コートを確実に、しかも効率良く行うための方法を提供する。 【解決手段】 半導体レーザをバー101の状態に加工して整列治具102に整列する。ECRプラズマCVDを用いて半導体レーザの端面コート材料を堆積する。この工程で、ランプヒータ103を用いて処理面とは反対側の面から約200℃に加熱することよって、堆積膜の電極面への堆積を防止する。
公开日期1997-10-07
申请日期1996-03-28
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78016]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
嶋崎 武,木戸口 勲,足立 秀人,等. 半導体発光素子の製造方法. JP1997266348A. 1997-10-07.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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