半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 平本 清久; 佐川 みすず; 土屋 朋信; 豊中 隆司 |
| 发表日期 | 1995-10-13 |
| 专利号 | JP1995263787A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 GaAs基板に形成され、少なくともInGaAs層と基板に格子整合する層を有する半導体レーザにおいて、その素子特性を改善し、信頼性を向上した半導体レーザ装置及びその製造方法を提供することにある。 【構成】 GaAs基板1と、少なくとも該GaAs基板上に上に形成されたInGaAs層3及び基板に格子整合する層から構成され、上記GaAs基板の表面は(0、0、1)面から[1,1,1]方向、又は[-1,-1,1]方向、又は[1,-1,1]方向、又は[-1,1,1]方向に0.7度以下(但し基板に格子整合する層としてInGaAsP層を含む場合には2度以下)傾斜している。 【効果】 本発明によりしきい値電流密度が低く、光出力を一定にした時の電流増加率の少ない、信頼性の高い半導体レーザを得ることができる。 |
| 公开日期 | 1995-10-13 |
| 申请日期 | 1994-03-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78031]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 平本 清久,佐川 みすず,土屋 朋信,等. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP1995263787A. 1995-10-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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