半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 本多 正治; 庄野 昌幸; 池上 隆俊; 別所 靖之; ▲広▼山 良治; 賀勢 裕之 |
| 发表日期 | 2000-12-08 |
| 专利号 | JP3138095B2 |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 温度特性,寿命特性に優れ、戻り光雑音を低減した自励発振型半導体レーザ素子を提供することを目的とする。 【構成】 n型GaAs基板と、この基板上に形成されたn型AlGaInPクラッド層3と、このn型クラッド層3上に形成された活性層5と、この活性層5上に形成されたp型AlGaInPクラッド層7からなる半導体レーザ素子において、活性層5が(AluGa1-u)xIn1-xP圧縮歪井戸層5aと(AlvGa1-v)0.5In0.5P障壁層(0≦uuGa1-u)xIn1-xP圧縮歪井戸層5aの組成比xが0.42≦x≦0.47である構成とした。 |
| 公开日期 | 2001-02-26 |
| 申请日期 | 1992-12-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78039]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 本多 正治,庄野 昌幸,池上 隆俊,等. 半導体レーザ素子. JP3138095B2. 2000-12-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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