半導体発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 和田 浩; 上條 健 |
| 发表日期 | 1997-02-07 |
| 专利号 | JP1997036486A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 製造歩留りが良く、ダブルヘテロ構造の結晶層の成長に高度な成長技術を必要としない半導体発光素子の製造方法。 【構成】 初期のInP半導体基板10にInGaAsエッチストップ層12およびInP/InGaAsPのDH結晶層20を順次に成長させる。DH結晶層の最上部のInGaAsキャップ層28にガラス支持基板30を、接着剤32としてワックスを用いて、固定した後、この半導体基板とエッチストップ層を順次に除去する。然る後、DH結晶層のInP第1クラッド層22の露出面にSi基板50の表面を密着させてから熱処理を行なって両面を接合させる。その後、DH結晶層を利用してレーザ素子を作る。 |
| 公开日期 | 1997-02-07 |
| 申请日期 | 1995-07-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78043]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 和田 浩,上條 健. 半導体発光素子の製造方法. JP1997036486A. 1997-02-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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