半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 北村 光弘; 山崎 裕幸; 辻 正芳; バイデンス ルック |
| 发表日期 | 1998-08-07 |
| 专利号 | JP2812273B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】高温動作特性を大幅に向上した長波長系半導体レーザの提供。 【解決手段】InAlGaAs系材料からなる半導体レーザの埋め込み活性層の横方向に電子の漏れ出しを防止するサイドバリア層を形成した。 |
| 公开日期 | 1998-10-22 |
| 申请日期 | 1995-10-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78047]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 北村 光弘,山崎 裕幸,辻 正芳,等. 半導体レーザ. JP2812273B2. 1998-08-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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