半導体レーザー
文献类型：专利
| 作者 | 辻村 歩; 大川 和宏; 上山 智; 三露 常男 |
| 发表日期 | 1996-08-20 |
| 专利号 | JP1996213699A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザー |
| 英文摘要 | 【課題】II-VI 族化合物半導体を用いた青緑色領域で発振する半導体レーザーに対して、光閉じ込め率を大きくするための構造を提供する。 【解決手段】Zn1-XCdXSe(01-XCdXSe活性層7に隣接する一対の光閉じ込め構造4、5、6、8、9及び10と、光閉じ込め構造のそれぞれに隣接するクラッド層3及び11を備えた半導体レーザーであって、光閉じ込め構造のエネルギーバンドギャップが、Zn1-XCdXSe活性層7からの距離が増加するにつれて単調増加している。これによって、光閉じ込め係数が改善される。 |
| 公开日期 | 1996-08-20 |
| 申请日期 | 1995-11-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78049]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 辻村 歩,大川 和宏,上山 智,等. 半導体レーザー. JP1996213699A. 1996-08-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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