光半導体装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小林 宏彦; 雙田 晴久; 江川 満; 岡崎 二郎; 荻田 省一; 藤井 卓也 |
| 发表日期 | 2004-04-30 |
| 专利号 | JP3548986B2 |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光半導体装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】光通信、光ディスク装置、光インターコネクションなどの光源に用いられる光半導体装置に関し、導波路での光吸収を小さくし、低閾値で安定なレーザ発振すること。 【構成】光を発振させる利得領域Aから光を発振させずに導波するモード変換領域Bにかけて形成され、且つ、該モード変換領域Bでは層数を変えずに該利得領域Aから離れるにつれて膜厚が薄く形成され、さらに該モード変換領域Bでの入射端の膜厚は出射端の膜厚に比べて2倍以上となるストライプ状の量子井戸構造層6と、前記量子井戸構造層6を挟む第一及び第二のクラッド層2,8とを含む。 |
| 公开日期 | 2004-08-04 |
| 申请日期 | 1994-07-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78051]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小林 宏彦,雙田 晴久,江川 満,等. 光半導体装置及びその製造方法. JP3548986B2. 2004-04-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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