窒化物半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 中川 大輔 |
| 发表日期 | 2009-11-26 |
| 专利号 | JP2009277844A |
| 著作权人 | ROHM CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】電流狭窄·光閉じ込め用のストライプの段差角部に集中する応力を緩和する。 【解決手段】GaN系半導体基板10上に配置され、n型GaN系クラッド層14と、n型GaN系ガイド層16と、活性層18と、p型GaN系ガイド層22と、電子ブロック層20と、p型GaN系クラッド層26と、p型GaN系クラッド層のすべてまたは一部を除去し、p型GaN系ガイド層22上にレーザストライプ80を形成する第1段差領域と、レーザストライプ80の延伸方向と平行方向に、n型GaN系ガイド層16若しくはn型GaN系クラッド層14の一部若しくは全部を除去して形成した第2段差領域とを備え、第1段差領域によって、電流狭窄構造を形成するとともに、第2段差領域の一部によって、活性層18をほぼ中心としてレーザ共振器を形成する窒化物半導体レーザ素子25。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-11-26 |
| 申请日期 | 2008-05-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78054]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ROHM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中川 大輔. 窒化物半導体レーザ素子. JP2009277844A. 2009-11-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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