半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 伊藤 義行; 松浦 初美; 渡邊 実; 島田 直弘; 栗原 春樹 |
| 发表日期 | 1995-12-22 |
| 专利号 | JP1995335972A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 リッジ部の抵抗を低減すると共にリッジ部に並列な部分でのリ-ク電流の発生を抑制しうる半導体レ-ザ及びその製造方法を提供することである。 【構成】 半導体レ-ザは、キャリア濃度を5×1017cm-3とするp-InGaAlPクラッド層16と、キャリア濃度を5×1017cm-3とするp-InGaAlPクラッド層18とキャリア濃度を2×1018cm-3とするp-InGaAlPクラッド層19との2層構造からなるストライプ状のリッジ部と、p-InGaAlPクラッド層16上に設けられたキャリア濃度を2×1018cm-3とするp-GaAsコンタクト層22とを有する。 |
| 公开日期 | 1995-12-22 |
| 申请日期 | 1994-06-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78060]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊藤 義行,松浦 初美,渡邊 実,等. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1995335972A. 1995-12-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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