半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 阿南 隆由 |
| 发表日期 | 1999-03-30 |
| 专利号 | JP1999087835A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 3ミクロン帯半導体レーザの高温においてしきい値で、温度特性に優れた、冷却機構の必要ない半導体レーザ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 GaAs基板上に積層された、第1の導電性を有する第1の光導波層120と、第1の導電性とは異なる導電性を有する第2の光導波層123と、前記2つの光導波層に挟まれた活性層領域12を有する半導体レーザにおいて、該活性層領域12が少なくとも1つのBを含む層で構成されることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1999-03-30 |
| 申请日期 | 1997-09-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78065]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阿南 隆由. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1999087835A. 1999-03-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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