半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 岡安 雅信; 福田 光男; 天明 二郎; 中野 純一; 都築 信頼 |
| 发表日期 | 1994-02-04 |
| 专利号 | JP1994029615A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 高出力で信頼性の高い半導体レーザを提供する。 【構成】 n型GaAs基板1に段差1aを形成した後、n型GaAsバッファ層2、n型AlxGa1-xAsクラッド層3、ノンドープAlyGa1-yAs活性層4及びp型Alx'Ga1-x'Asクラッド層5を形成して活性層中央部4aと活性層端部4bとの間に積層方向の位置ずれを形成する。 |
| 公开日期 | 1994-02-04 |
| 申请日期 | 1992-07-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78079]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡安 雅信,福田 光男,天明 二郎,等. 半導体レーザ. JP1994029615A. 1994-02-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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