半導体光集積素子
文献类型：专利
| 作者 | 青木 雅博; 佐野 博久; 坂野 伸治; 鈴木 誠; 高橋 誠; 魚見 和久; 井戸 立身; 高井 厚志 |
| 发表日期 | 1993-09-21 |
| 专利号 | JP1993243551A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光集積素子 |
| 英文摘要 | 【目的】本発明は半導体量子井戸構造を有する光集積素子に関し、特に異種機能を有する個々の集積光素子の性能向上を極めて容易に実現する構造及び製造方法を提供することである。また、更なる目的は、光機能部の光利得、光吸収係数がTE、TMモ-ドで異なる半導体光集積素子を実現することである。 【構成】量子井戸構造を構成する結晶成長層の半導体基板に対する格子不整合量が各光機能部で異なるような光導波層を有する半導体光素子を同一半導体基板上に集積化した半導体光集積素子及び半導体基板上に形成した絶縁膜パターニングマスクを用いた領域選択成長技術を用いた半導体光集積素子の製造方法を開示する。 【効果】集積する光素子個々の性能を最大に引き出す素子設計を行うことができる。素子間のほぼ100%光結合を実現できる。 |
| 公开日期 | 1993-09-21 |
| 申请日期 | 1992-02-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78085]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 青木 雅博,佐野 博久,坂野 伸治,等. 半導体光集積素子. JP1993243551A. 1993-09-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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