半導体レーザの製造方法,及び半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 杵築 弘隆; 唐木田 昇市 |
| 发表日期 | 2004-03-18 |
| 专利号 | JP2004088124A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法,及び半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 特性の揃った半導体レーザを容易に作製できる製造方法を得る。 【解決手段】 n型基板1上に、n型クラッド層2,活性層3,p型クラッド層4,及びn型電流ブロック層5を含む半導体積層構造を成長した後、上記半導体積層構造上に、ストライプ状の開口部を有する絶縁膜パターン7を形成し、この後、上記絶縁膜パターン7をエッチングマスクとして、上記半導体積層構造を塩素系ガスエッチングの手法を用いてエッチングし、その側面が(111)B面である断面V字型のストライプ溝を形成し、該ストライプ溝内に上記活性層に電流を注入するための電流通路を形成した後、上記ストライプ溝内にp型半導体8を埋め込み成長し、さらに、ウエハ上にp型コンタクト層11を結晶成長する。 【選択図】 図2(c) |
| 公开日期 | 2004-03-18 |
| 申请日期 | 2003-10-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78089]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杵築 弘隆,唐木田 昇市. 半導体レーザの製造方法,及び半導体レーザ. JP2004088124A. 2004-03-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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