半導体レーザ素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 厚主 文弘; 川戸 伸一 |
| 发表日期 | 1999-12-10 |
| 专利号 | JP1999340560A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザ素子の薄膜成長において、原料供給量の変動や反応管内部の状態変化に伴い層厚変動が生じることが問題となっているが、これらを把握し、パラメーター設定条件を確立又は見直すために現状では定期的に複数回のチェック用成長が製造の合間に実施されている。しかしながら、チェック用成長は素子の製造プロセスとは全く異なっており、作業が煩雑になるばかりでなく、製造コストにも影響が大きいものとなっていた。 【解決手段】 活性層と同一組成のモニタ層を素子特性に影響しない条件でレーザ素子構造に作り込むことによって、毎回の成長で該モニタ層の成長速度を測定し、しかも同一成長内の活性層にフィードバックし、高精度な層厚制御を可能とするため、ロット間の層厚バラツキがなく、素子歩留まりが向上する。また、従来のようなチェック用の確認成長が不要となるため、大幅なコスト低減を実現できる。 |
| 公开日期 | 1999-12-10 |
| 申请日期 | 1998-05-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78091]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 厚主 文弘,川戸 伸一. 半導体レーザ素子及びその製造方法. JP1999340560A. 1999-12-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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