半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 池上 隆俊; 本多 正治; 庄野 昌幸; 廣山 良治; 茨木 晃; 吉年 慶一; 山口 隆夫 |
| 发表日期 | 1995-11-10 |
| 专利号 | JP1995297483A |
| 著作权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 駆動電流が低く、かつ垂直方向の光の閉じ込めが強められた半導体レーザ装置を提供することである。
【構成】 S-MQW活性層4との屈折率差を大きくして垂直方向の光の閉じ込めを強くするために、クラッド層平坦部51となるp-第1クラッド層5a,5bにおけるAl組成xを0.6≦x≦1に設定する。また、キャリア濃度を高くして抵抗を低くするために、クラッド層リッジ部52となるp-第2クラッド層5cにおけるAl組成xを0 |
| 公开日期 | 1995-11-10 |
| 申请日期 | 1994-04-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78099]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 池上 隆俊,本多 正治,庄野 昌幸,等. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP1995297483A. 1995-11-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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