光半導体素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 岩井 則広; 石川 卓哉 |
| 发表日期 | 1999-02-16 |
| 专利号 | JP1999046035A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 GaAs基板上に形成されるAlGaInP系の半導体レーザ装置であって、歪みのない出射ビームを得る素子構造とその製造方法を提供する。 【解決手段】 (100)面から[011]方向に傾斜した主面を有する第1の半導体基板上に積層形成した第1のエピタキシャル成長層と、主面を(100)面とした第2の半導体基板上に積層形成した第2のエピタキシャル成長層とを互いに直接接着し、且つ前記第2の半導体基板を除去した素子構造を有し、特に前記第2のエピタキシャル成長層にストライプ状のリッジを設けた構造とする。特に第1のエピタキシャル成長層と第2のエピタキシャル成長層とを直接接着した後、第2の半導体基板を除去し、次いで前記第2のエピタキシャル成長層にストライプ状のリッジを形成する。 |
| 公开日期 | 1999-02-16 |
| 申请日期 | 1997-07-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78127]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岩井 則広,石川 卓哉. 光半導体素子およびその製造方法. JP1999046035A. 1999-02-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。