半導体素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 岡本 重之; 冨永 浩司; 畑 雅幸 |
| 发表日期 | 2000-07-14 |
| 专利号 | JP2000196145A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 分離が容易でかつ歩留りの高い半導体素子の製造方法を提供することである。 【解決手段】 サファイア基板1のc面上に、低温バッファ層2、第1の高温バッファ層3、第2の高温バッファ層4、n-コンタクト層5、量子障壁層6aと量子井戸層6bとを交互に積層してなるMQW発光層6、保護層7、p-クラッド層8およびp-コンタクト層9を順に成長させる。次に、p-コンタクト層9からサファイア基板1に至る割り溝50をダイシングにより形成する。このようにして割り溝50を形成した後、割り溝50の内面のp-コンタクト層9からn-コンタクト層5までをエッチングし、n-コンタクト層5が露出してなるn側電極形成領域51を形成する。 |
| 公开日期 | 2000-07-14 |
| 申请日期 | 1998-12-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78135]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡本 重之,冨永 浩司,畑 雅幸. 半導体素子の製造方法. JP2000196145A. 2000-07-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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