半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 穴山 親志 |
| 发表日期 | 1999-01-29 |
| 专利号 | JP1999026884A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザ装置及びその製造方法に関し、S3 レーザに於いて、通常のリッジ型レーザと同様、クラッド層の組成を変えることなく、p側のクラッド層に於ける電流通路を狭くしない為の手段を提供し、斜面に対応する二つの成長線を平行に保ってニア·フィールド·パターンの安定性を確保できるようにする。 【解決手段】 n側クラッド層が第一斜面の下側と主面との間に在る緩徐な第二斜面をもち、且つ、第一斜面が第一の面方位角度を有するn型AlGaInPクラッド層203及び第一斜面が第一の面方位角度に比較して緩徐な第二の面方位角度を有するn型AlGaInPクラッド層204の組み合わせからなることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1999-01-29 |
| 申请日期 | 1997-07-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78145]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 穴山 親志. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP1999026884A. 1999-01-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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