半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 三宅 輝明 |
| 发表日期 | 1999-09-17 |
| 专利号 | JP1999251678A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 動作電圧を維持しつつ、アスペクト比の小さな半導体レーザを提供することを課題とする。 【解決手段】 活性層5の上方に、活性層への電流通路となるリッジ部10を備える半導体レーザ1において、リッジ10の主要部を第1の層(第2p型クラッド層8)とその上に位置する第2の層(第3p型クラッド層9)によって構成するとともに、前記第1の層8を第2の層9よりもエッチングレートが高い層によって構成し、リッジ部10の上部の傾斜角度bよりもリッジの下部の傾斜角度aを大きく設定した。 |
| 公开日期 | 1999-09-17 |
| 申请日期 | 1998-02-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78150]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 三宅 輝明. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1999251678A. 1999-09-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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