半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 中村 幸治 |
| 发表日期 | 2007-01-25 |
| 专利号 | JP2007019390A |
| 著作权人 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 外部からの反射戻り光の影響を抑制することができ,モジュールに組み立てた場合にアイソレータを不要として低価格なシステムに対応可能な,半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法を提供する。 【解決手段】 発光領域200がストライプ状に限定された半導体レーザ100において;光が出射される前端面300と,前端面300の素子側面方向の端部に,少なくとも発光領域200の上部のクラッド層230と下部のクラッド層210とに渡って設けられ,前端面300と光出射の反対方向に角度を成す傾斜面400と,を備えることを特徴とし,反射戻り光の一部が傾斜面400で反射されカットできるので,半導体レーザ100の特性変動を低減することができる。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2007-01-25 |
| 申请日期 | 2005-07-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78156]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村 幸治. 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法. JP2007019390A. 2007-01-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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