半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 古谷 章; 穴山 親志; 近藤 真人 |
| 发表日期 | 1994-10-28 |
| 专利号 | JP1994302908A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】光情報読み取り用の光源、光通信用モジュールなどに使用される半導体レーザに関し、活性層のストライプ幅を広げることなく、COD破壊を生じ難くすること。 【構成】上下方向の段差によって屈曲される活性層のストライプの端部を断面V字状にしてその部分の禁制帯幅を大きくするか、又は、そのストライプの端部近傍を横方向に曲げることを含む。 |
| 公开日期 | 1994-10-28 |
| 申请日期 | 1993-04-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78161]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 古谷 章,穴山 親志,近藤 真人. 半導体レーザ. JP1994302908A. 1994-10-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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