Semiconductor light-emitting element
文献类型：专利
| 作者 | OTA HIROYUKI; WATANABE ATSUSHI |
| 发表日期 | 1992-07-10 |
| 专利号 | JP1992192585A |
| 著作权人 | PIONEER ELECTRON CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Semiconductor light-emitting element |
| 英文摘要 | PURPOSE:To obtain a semiconductor light-emitting element whose light-emitting efficiency is good by a method wherein a substrate crystal is formed of ZnO and the composition of an epitaxial layer is specified. CONSTITUTION:A substrate 1 is composed of n-type ZnO; an active layer and a clad layer are formed of AlxGa1-xN1-yAsy-based mixed crystals (where 0<=x<=1 and 0 |
| 公开日期 | 1992-07-10 |
| 申请日期 | 1990-11-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78166]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | PIONEER ELECTRON CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | OTA HIROYUKI,WATANABE ATSUSHI. Semiconductor light-emitting element. JP1992192585A. 1992-07-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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