半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 深野 秀樹; 野口 悦男; 近藤 進 |
| 发表日期 | 1999-09-24 |
| 专利号 | JP1999261154A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 しきい値電流の低いリッジ構造半導体発光素子を提供することを課題とする。 【解決手段】 単一組成、段階状組成、疑似傾斜組成または傾斜組成のセパレートコンファインメントヘテロ接合層(SCH層)に挟まれた単一または多重量子井戸構造を含む発光層と前記SCH層を挟み込むように両側にクラッド層を有する半導体発光素子において、p形クラッド層15側のSCH層14とp形クラッド層15の間の価電子帯のエネルギー不連続が正孔に対し障壁とならない、ほとんど零であり、伝導帯のエネルギー不連続は電子に対し障壁となる正の値を有するように組成を選択したクラッド層/SCH層で構成される。 |
| 公开日期 | 1999-09-24 |
| 申请日期 | 1998-03-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78176]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 深野 秀樹,野口 悦男,近藤 進. 半導体発光素子. JP1999261154A. 1999-09-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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