半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 木之下 秀明 |
| 发表日期 | 1994-09-30 |
| 专利号 | JP1994275906A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 素子寸法のばらつきを防ぎ、素子特性の制御性の向上を可能とする素子構造を有するInGaAlP系の横モード制御型半導体レーザ装置を提供することを目的とする。 【構成】 半導体基板と、この半導体基板上に形成されたInGaAlP系混晶からなる下部クラッド層、活性層及び第1の上部クラッド層を積層してなるダブルヘテロ構造部と、このダブルヘテロ構造部上にInGaAlP系混晶からなる第2の上部クラッド層及びコンタクト層をストライプ状に積層してなるリッジ部と、前記ダブルヘテロ構造部及びリッジ部上に形成されたオーミックコンタクト層とを具備し、前記リッジ部は、前記第1の上部クラッド層の所定部分上に選択成長により形成されてなることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1994-09-30 |
| 申请日期 | 1993-03-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78185]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 木之下 秀明. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP1994275906A. 1994-09-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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