半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 石野 正人; 大塚 信之; 冨士原 潔; 鬼頭 雅弘 |
| 发表日期 | 1993-11-12 |
| 专利号 | JP1993299764A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 再現性良好にかつ容易なプロセスで低しきい値かつ低リーク電流を実現する。 【構成】 (100) 面を主面とするn-InP 基板11上に 方向への周期構造を有する回折格子12を形成する。SiO2膜を堆積したのちストライプ状の開口部を形成して、SiO2膜からなる絶縁膜パターン13を形成する。開口部上に、MOVPE法によりn-InGaAsP 光導波層14,InGaAsP 活性層15,p-InP クラッド層16(d=0.4 μm)およびInGaAsP マスク層17を順次積層し台形状活性層ストライプを形成する。絶縁膜パターン13を除去した後、塩酸を含む混合液でn-InP 基板11を2μmから3μmの深さでエッチングする。LPE法によりp-InP 埋め込み層18,n-InP ブロック層19,p-InP 平坦化層20およびp-InGaAsP コンタクト層21を順次エピタキシャル成長を行い埋め込み型ヘテロ構造を形成する。 |
| 公开日期 | 1993-11-12 |
| 申请日期 | 1992-04-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78193]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石野 正人,大塚 信之,冨士原 潔,等. 半導体レーザの製造方法. JP1993299764A. 1993-11-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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