半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 畑 雅幸; 太田 潔 |
| 发表日期 | 2009-06-04 |
| 专利号 | JP2009123772A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】高出力化を妨げることなくレーザ光の水平広がり角を容易かつ十分に均一化することができるとともに、信頼性の高い半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 【解決手段】青紫色半導体レーザ素子100においては、n型GaN基板101の一面上にn型クラッド層102、活性層103、p型クラッド層104、およびp型コンタクト層105が形成され、p型コンタクト層105の上面にp型オーミック電極106が形成されている。p型クラッド層104、p型コンタクト層105およびp型オーミック電極106からなるリッジ部Riが形成されている。リッジ部Riの両側方に位置するp型クラッド層104の上面には、SiO2微粒子からなる第1の絶縁膜107a、およびSiO2膜からなる第2の絶縁膜107bがこの順で形成されている。第1の絶縁膜107aおよび第2の絶縁膜107bが電流狭窄層107を構成する。 【選択図】図3 |
| 公开日期 | 2009-06-04 |
| 申请日期 | 2007-11-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78201]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 畑 雅幸,太田 潔. 半導体レーザ素子. JP2009123772A. 2009-06-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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