半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 栗原 春樹; 島田 直弘 |
| 发表日期 | 1996-11-01 |
| 专利号 | JP1996288593A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 低損失の光導波路を有する赤色半導体レーザ装置の構造を提供する。 【構成】 リッジ部7の側面とこれに連なる前記クラッド層6の上面とを覆うようにp-GaAsヘテロ障壁形成層8が形成される。この上にはキャップ層10と、厚さ約0.05μmのp-Ga0.5 In0.5 P通電容易層11 、及び厚さ約5μmのp-GaAs電極層12がこの順に形成されている。 |
| 公开日期 | 1996-11-01 |
| 申请日期 | 1995-04-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78206]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 栗原 春樹,島田 直弘. 半導体レーザ装置. JP1996288593A. 1996-11-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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