半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 松川 健一; 茨木 晃; 林 伸彦 |
| 发表日期 | 1999-08-13 |
| 专利号 | JP2966686B2 |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 電極形成に際しての煩雑なエッチング工程を省略することができ、異なる厚みのコンタクト層を有する半導体レーザの製造に容易に対応し得る、半導体レーザの製造方法を提供する。 【構成】 ある結晶方位からずれた方向に配向された第1の導電型のオフ基板上に、第1の導電型のクラッド層、活性層及び第2の導電型のクラッド層4を成長させ、上方にある第2の導電型のクラッド層4にエッチングによりメサ状リッジAを形成し、該メサ状リッジAの上方に第2の導電型のコンタクト層10を形成してなるウェハ15を用意し、ウェハ15の上面に形成されているストライプ状部分15aにおけるコンタクト層10の厚みをxとしたときに、ストライプ上部分15aから下記の式(1)で決定される距離yだけ離れた部分に発振領域を表示する位置決めマークを有するように電極を形成する工程を有する半導体レーザの製造方法。 【数1】 |
| 公开日期 | 1999-10-25 |
| 申请日期 | 1993-04-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78213]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松川 健一,茨木 晃,林 伸彦. 半導体レーザの製造方法. JP2966686B2. 1999-08-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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