光半導体素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 榊原 正之; 岡本 浩二; 寺田 由孝 |
| 发表日期 | 1997-06-24 |
| 专利号 | JP1997166877A |
| 著作权人 | 浜松ホトニクス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 生産性の低下を招かず、半導体素子の表面に充分な遮光率を有する遮光レジストが精度良く形成された光半導体素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体ウエハ100に半導体素子110を多数形成すると同時に、半導体ウエハ100の半導体素子110が形成されていない領域に位置決め用のマーク120を形成し、マスキングテープ200を貼付してマーク120を被覆した後、半導体ウエハ100の表面全体に黒色レジスト300を塗布する。引き続き、黒色レジスト300が塗布された半導体ウエハ100を加熱処理して黒色レジストをプリベークする。次に、マスキングテープ200を半導体ウエハ100から剥離し、マーク120を露出させ、マーク120の位置に従って半導体ウエハ100のフォトマスクとの位置決めを行い、黒色レジスト300を露光後、現像し、不要な黒色レジストを除去してパターン付けを完了する。 |
| 公开日期 | 1997-06-24 |
| 申请日期 | 1995-12-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78217]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 浜松ホトニクス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 榊原 正之,岡本 浩二,寺田 由孝. 光半導体素子の製造方法. JP1997166877A. 1997-06-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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