Manufacture of semiconductor laser device
文献类型：专利
| 作者 | HIRONAKA MISAO; KIMURA HIDE; YAMASHITA KOJI |
| 发表日期 | 1989-12-08 |
| 专利号 | JP1989304793A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Manufacture of semiconductor laser device |
| 英文摘要 | PURPOSE:To increase a crystallinity of a regrowing interface by forming a cap layer by a method wherein the cap layer is allowed to start growing with a GaAs etching stopper layer left behind and during the growth of the layer an upper clad layer is exposed by melting back the GaAs etching stopper layer. CONSTITUTION:The thicknesses d1-d5 of a GaAs etching stopper layer 10, an AlGaAs etching stopper layer 11, a current block layer 5, an anti-meltback layer 12 and a meltback layer 13 are on the following conditions: 0 |
| 公开日期 | 1989-12-08 |
| 申请日期 | 1988-06-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78223]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | HIRONAKA MISAO,KIMURA HIDE,YAMASHITA KOJI. Manufacture of semiconductor laser device. JP1989304793A. 1989-12-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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