半導体素子の保護膜形成方法
文献类型：专利
| 作者 | 長谷川光利 |
| 发表日期 | 1995-01-31 |
| 专利号 | JP1995030196A |
| 著作权人 | キヤノン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子の保護膜形成方法 |
| 英文摘要 | 【目的】バー状態に細分化することなくウエハー状態のままで端面に保護膜を簡単かつ歩留まり良く形成でき、しかも逆メサ形状の端面にも端面の形状に依存することなく、保護膜を形成できる半導体素子の保護膜形成方法である。 【構成】チャンネル導波路を構成する半導体素子において、チャンネル導波路の共振器あるいは端面となる溝を半導体基板1に形成し、次いで、溝の側壁に保護膜6を形成した後、溝部位にチャンネル導波路構造となるエピタキシャル層2、3、4、5を形成する。さらに、チャンネル導波路以外の部位をエッチングし、エッチング部位を形成することによりチャンネル導波路の光入出力端面を形成する。 |
| 公开日期 | 1995-01-31 |
| 申请日期 | 1993-07-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78250]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | キヤノン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 長谷川光利. 半導体素子の保護膜形成方法. JP1995030196A. 1995-01-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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