半導体発光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山本 剛之 |
| 发表日期 | 1999-09-28 |
| 专利号 | JP1999266052A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体発光素子及びその製造方法に関し、電流狭窄構造を有する埋込型半導体発光素子の製造工程を大幅に簡素化する。 【解決手段】 一導電型InP基板1上に形成された一導電型下部クラッド層2、活性層3、及び、反対導電型上部クラッド層3を含むダブルヘテロ接合構造のストライプ状メサの両側面を{111}面で形成するとともに、ストライプ状メサの側部に一層以上のV族元素がAsのみからなるIII-V族化合物半導体からなる埋込層5を設け、且つ、ストライプ状メサ及び埋込層5を覆うように反対導電型InPクラッド層9を設ける。 |
| 公开日期 | 1999-09-28 |
| 申请日期 | 1998-03-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78291]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本 剛之. 半導体発光素子及びその製造方法. JP1999266052A. 1999-09-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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