半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 千代 敏明; 柴田 直樹; 伊藤 潤; 野杁 静代 |
| 发表日期 | 1999-07-02 |
| 专利号 | JP1999177140A |
| 著作权人 | 豊田合成株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 Si製の基板の上にGaN系の半導体層が容易に形成できる新規な構成の半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 Si製の基板とGaN系の半導体層との間にZr製のバッファ層を設ける。このバッファ層は所定の膜厚を持ち、所定の温度に昇温されたSi基板の(111)に形成され、後に加熱される。 |
| 公开日期 | 1999-07-02 |
| 申请日期 | 1998-01-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78316]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 豊田合成株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 千代 敏明,柴田 直樹,伊藤 潤,等. 半導体素子. JP1999177140A. 1999-07-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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