半導体素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 岩井 則広; 平谷 雄二 |
| 发表日期 | 1994-07-15 |
| 专利号 | JP1994196824A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 工程が簡略化して製造歩留りが向上し、また、放熱性がよくなるので素子の寿命が長くなる 半導体素子の製造方法を提供する。 【構成】 半導体素子用エピウェハ11のエピ側の面上に電極12を設け、次いで、前記電極12面上に絶縁膜18パターンを形成し、次いで、前記電極12面上に前記絶縁膜18よりも厚い金メッキ層パッド14を形成し、次いで、上記エピウェハ11を、エピ側の面で、ステム16に取り付けられたヒートシンク15上にダイボンディングする。 |
| 公开日期 | 1994-07-15 |
| 申请日期 | 1992-12-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78319]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岩井 則広,平谷 雄二. 半導体素子の製造方法. JP1994196824A. 1994-07-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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