半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 狩野 隆司; 大保 広樹 |
| 发表日期 | 2000-10-06 |
| 专利号 | JP2000277860A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 電流ブロック層の熱安定性を改善しつつ電流ブロック層にクラックが入りにくい半導体レーザ素子を提供することである。 【解決手段】 AlまたはBを含むn-第1電流ブロック層12aとInを含むn-第2電流ブロック層12bを交互に積層する。n-第2電流ブロック層12bのバンドギャップをn-第1電流ブロック層12aよりも小さく設定する。 |
| 公开日期 | 2000-10-06 |
| 申请日期 | 1999-03-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78334]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 狩野 隆司,大保 広樹. 半導体レーザ素子. JP2000277860A. 2000-10-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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