半導体レーザ装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 伊地知 哲朗 |
| 发表日期 | 2000-02-18 |
| 专利号 | JP3033664B2 |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 光学損傷抑制膜を有する半導体レーザ装置の製造方法の改良を目的とする。 【構成】 GaAs基板に形成され、劈開面が共振器とされており、共振器面上に、活性層の禁制帯幅より大きな禁制帯幅を有する半導体単結晶層よりなる光学損傷抑制膜が形成されている半導体レーザ装置を製造するにあたり、400〜500℃の熱処理温度を使用して電極を形成した後、500℃以下の成長温度をもってGaInPよりなる光学損傷抑制膜を、共振器面上に形成することゝする半導体レーザ装置の製造方法である。 |
| 公开日期 | 2000-04-17 |
| 申请日期 | 1994-07-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78337]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊地知 哲朗. 半導体レーザ装置の製造方法. JP3033664B2. 2000-02-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。